HTTS型高低壓開(kāi)關(guān)柜通電試驗(yàn)臺(tái)可以分為電路及裝置的試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)是驗(yàn)證設(shè)備在正常使用條件下，通以額定電流，各部分的溫升值應(yīng)符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。裝在裝置內(nèi)部的操作手柄，其溫升允許略高些。除非另有規(guī)定，對(duì)可以接觸但正常工作時(shí)不需觸及的外殼和覆板，允許其溫升提高10K。設(shè)備按正常使用情況放置，門(mén)、鎘板、覆板、蓋板都應(yīng)裝好。試驗(yàn)方案應(yīng)選擇損耗最大的方案。進(jìn)行單獨(dú)電路的溫升試驗(yàn)時(shí)，電路應(yīng)通以設(shè)計(jì)規(guī)定的額定工作電流。進(jìn)行裝置的溫升試驗(yàn)時(shí)，在考慮了額定分散系數(shù)后，應(yīng)選擇一個(gè)或幾個(gè)有代表性的并能獲得高溫升的電路，給這些電路通以各自設(shè)計(jì)規(guī)定的額定工作電流。試驗(yàn)時(shí)輔助電路(包括繼電器、接觸器、脫扣器的線圈)應(yīng)加上設(shè)計(jì)規(guī)定的額定工作電壓。裝置中如果包含有熔斷器，試驗(yàn)時(shí)應(yīng)裝上適合于試驗(yàn)的熔體(由制造廠規(guī)定)。熔體的功率損耗、試驗(yàn)中所用的外接導(dǎo)體(導(dǎo)線)尺寸和布置情況應(yīng)寫(xiě)入試驗(yàn)報(bào)告中。

高低壓開(kāi)關(guān)柜（通電）試驗(yàn)臺(tái)測(cè)試部位包括：

(1)母線連接處以及其他元器件與母線的連接處。

(2)抽屜式設(shè)備的母線室、功能單元室和電纜室的空間。

(3)可觸及的門(mén)、手柄和覆板。

以上三種部位均應(yīng)盡量選產(chǎn)生溫升高點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量。當(dāng)溫度變化不超過(guò)1℃／h時(shí)，則可記錄其溫升值。其值應(yīng)不超過(guò)有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定值。裝置內(nèi)絕緣沒(méi)有破壞，元器件在設(shè)備內(nèi)的溫度條件下正常工作，則溫升試驗(yàn)合格。

豪泰科技生產(chǎn)的高低壓開(kāi)關(guān)柜通電試驗(yàn)臺(tái)的介電性能試驗(yàn)應(yīng)根據(jù)各回路額定絕緣電壓分別進(jìn)行試驗(yàn)。應(yīng)將那些不能耐受這種試驗(yàn)電壓的電器元件(如電子設(shè)備、電容器等)從電路中拆除。 施加試驗(yàn)電壓的時(shí)間和方法：出廠試驗(yàn)為1s點(diǎn)試。型式試驗(yàn)為1min，施加電壓從30%～50%的試驗(yàn)電壓開(kāi)始，約5s升到規(guī)定值。1min后將試驗(yàn)電壓逐漸降到零。

如果設(shè)備已經(jīng)過(guò)一次耐壓試驗(yàn)，而需再試驗(yàn)時(shí)，電壓應(yīng)降到規(guī)定值的85%，試驗(yàn)時(shí)間為11s。

試驗(yàn)電壓施加部位：

(1)主電路帶電部件與地(框架)之間：

(2)主電路各相之間；

(3)主電路與不同它直接連接的輔助電路之間；

(4)輔助電路與地之間；

(5)不同電壓等級(jí)的輔助電路之間。

試驗(yàn)電壓值應(yīng)符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定值。

用絕緣材料做成或用絕緣材料覆蓋的部件。如門(mén)，隔板、絕緣母線、手柄等，可用金屬箔包覆絕緣層在其與導(dǎo)電部件間施加上述(1)～(5)部位相應(yīng)規(guī)定值的1.5倍的電壓值。試驗(yàn)過(guò)程中，沒(méi)有發(fā)生絕緣擊穿，表面閃絡(luò)或電壓突然下降，則試驗(yàn)合格。